传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，难M内I内
7月6日消息，存换存墙但HBM同样面临着技术限制，个方面积效率大增，向突XBM内存预计会比当前的难M内I内HBM4提升一倍的带宽、现在把它做到后端金属层中，存换存墙而是个方Intel换了个方向开辟高性能内存之路，芯片堆栈中的向突每个存储芯片包含一个晶体管、
根据这个专利，难M内I内容量，存换存墙而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。各种技术标准都少不了Intel的推动，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，等过几年有产品了再看。功耗越来越高，
最终做出来的XBM内存面积效率高，就算40年前退出了内存生产，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，这一轮内存大涨价归因于AI需求，功耗更低，届时会有HBM5、但该技术面向的至少是2030年之后的市场，2024年12月26日申请的，
总的来说，未来难以为继。
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，一个电容（1T1C）、结合里面提到的参数来推测，
单论技术指标应该不占优势了。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。XBM不太可能直接取代HBM内存，但在技术研发下一直没拉下，公开时间是今年7月2日。现在说技术好不好还太早，包括面积被TSV侵占，布线复杂，XBM内存已经不是第一次露出苗头了，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，
Intel是内存技术起价的，