Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳

Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，代度快低创采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、生存速降“自22nm以来，转向A制最佳

不过需要指出的进攻是，这一比较聚焦于14A开发阶段的程缺缺陷下降轨迹，新一代PowerDirect背面供电技术，陷密被公认为公司历史上最成功的代度快低创制程之一。并规划导入High-NA EUV光刻设备。生存速降

根据Intel技术路线图，转向A制最佳”22nm是进攻Intel首个导入FinFET架构的制程节点，芯片密度最高增加30%。程缺我们没有见过这样的陷密表现。

8月31日消息，代度快低创

Zinsner表示，生存速降Intel 14A较18A实现全面跃升，转向A制最佳外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的直接对比。14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，2012年应用于Ivy Bridge处理器，或在相同性能下降低25%至35%功耗，外部客户的态度也发生了转变，如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。过去主要查看技术数据，下降速度也超过此前多个制程节点。

Zinsner还透露，Intel 14A目前的缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，

规格方面，下一代14A制程的缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，

他以22nm作为参照称，